晶圆表面等离子处理的原理
文章导读：豆奶视频APP官网是通过等离子体的作用来去除晶圆表面的污染物和残留物。等离子体是一种高能离子，具有很强的化学反应性和机械作用力。当等离子体与晶圆表面接触时，会发生化学反应和物理作用，从而去除表面的污染物和残留物。
为什么要去除光刻胶？
众所周知，光刻胶是半导体晶圆制造的核心材料。在晶圆制程中，光刻工艺约占整个晶圆制造成本的35%，耗时占整个晶圆工艺的40-50%，是半导体制造中最核心的工艺。
在光刻环节里有个不可或缺的步骤就是晶圆去胶，光刻胶在完成图形复制和传递作用后，晶圆表面剩余光刻胶需要通过去胶工艺进行完全清除。
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其中豆奶视频免费观看在线的工作原理是，在真空状态下，处理腔室中的压力会越来越小，分子间距增加，导致分子间相互的力变小，而在这种情况下利用高频电源产生的高压交变电场会将氧气、氢气、氩气、四氟化碳等工艺气体震荡成具有高反应活性或高能量的等离子体，然后与有机污染物及微颗粒污染物反应或碰撞，以此形成挥发性物质，然后有工作气体流及真空泵将这些挥发性物质清除出去，从而达到等离子表面清洁、活化等目的。（双腔体等离子处理机）
1、表面清洁
在先进封装中，PI胶或光刻胶经湿法去胶后，表面仍然残留一定的较薄的胶层；而在凸点工艺结束后，需要将下金属层UBM多余的部分用湿法刻蚀除去，但是湿法去除并不彻底。通常使用O2 Plasma来去除残胶，用Ar离子轰击除去残留金属。
2、提高结合力
等离子轰击晶圆表面，可以对表面进行粗化，增加表面的粗糙度。另一方面对晶圆表面进行改性，这两个措施都能提高基材与沉积膜层的结合力。
3、改善润湿性
使用等离子处理后的材料，增加了表面的极性基团，亲水性提升，接触角减小。
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等离子轰击晶圆表面，可以对表面进行粗化，增加表面的粗糙度。另一方面对晶圆表面进行改性，这两个措施都能提高基材与沉积膜层的结合力。
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